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一、 装片
1. 将来自扩散间传递窗的硅片排列整齐放置在刻蚀所用铝板架中间，（单面扩散时扩散面在铝板夹具底部），双手交互拧紧螺帽；
2. 将载有硅片的铝板架放入刻蚀机反应腔，确保铝板架底部四方孔对准刻蚀腔内支撑柱；
3. 盖上等离子体刻蚀腔盖板。
二、 刻蚀
1. 按下“运行”键开始工艺；
2. 当观察到反应室产生辉光放电后，注意反射功率是否正常，若出现异常，及时报告设备或工艺人员
3. 待蜂鸣器报警后，再次按下“运行”键停止工艺，然后打开盖子取出硅片；
三、 检验
1. 将刻蚀过的硅片连同铝板架从刻蚀腔取出；
2. 开启冷热探针加热电源；
3. 确认电压表工作正常。
4. 利用冷热探针法对刻蚀后的硅片的侧面不同地方进行测量。
四、 分片
1. 将检测合格的硅片，分别插入硅片盒。（注意：单面扩散时注意硅片的正反面，扩散面对准硅片盒有圆孔的方向）。
2. 将放有硅片的硅片盒放置在小车内，填写“工艺流程单”，流入PSG工序
注意事项：
1、 如发现刻蚀有问题，报告当班工艺员，填写工艺异常记录单并由当班工艺员和工段长同时签字确认；
2、 设备出现问题时，要立刻报告当班工程师，填写故障记录单并由当班工程师和工段长同时签字确认；
3、 拧紧螺帽时，要力度适中，以防挤碎硅片；
4、 硅片盒任何时候不能放在地上，刻蚀完的片子要盖上无尘布；
5、 操作时，一定要带好手套，并随时更换以保持清洁；保持地面、工作台和设备表面干净整洁
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