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芯片切割 为何减薄？ 为何减薄？ 尺寸变大 变厚 切割划片困难 以TSOP为例：总厚900µm 有效厚300µ m 为例：总厚 有效厚 为例 背面减薄技术： 背面减薄技术： 研磨，化学机械抛光CMP,干式抛光， 研磨，化学机械抛光 ，干式抛光， 电化学腐蚀(Electrochemical Etching) 电化学腐蚀 湿法腐蚀， 湿法腐蚀，等离子腐蚀 有损坏，工艺改进： 有损坏，工艺改进：DBG(Dicing Before Grinding)先划片后减薄 DBT(Dincing By Thinning)减薄划片 优点：避免硅片翘曲， 优点：避免硅片翘曲，划片引起的边缘损害
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