练好基本功,加强高性能器件研究— 国家自然科学基金2009 年半导体科学领域

Vol.31,No.2JournalofSemiconductorsFebruary2010

练好基本功，加强高性能器件研究—国家自然科学基金2009年半导体科学领域

申请项目概况分析

何杰

(国家自然科学基金委员会信息科学部，北京100085)

摘要:2009年度半导体科学领域申请项目数维持了稳步增长的势头，但各学科分支的发展仍不平衡。虽然经过近几年的迅猛发展，半导体学科在基础研究和应用研究方面都取得了丰硕的成果，与其他学科相互交叉渗透的项目逐年增多，有关新材料、新器件的探索层出不穷，但在很多关键科学问题和基础工艺方面的进展尚很不尽如人意，制约了学科的进一步发展，也导致许多成果难以转化为可实用化的技术，形成生产力。这需要引起广大科研人员的注意，如何在申请和评审基金过程中很好地把握这一点，需要我们今后几年不断地思索和探究。本文将简述2009年半导体领域基金申请与资助概况，分析近期动态及学科对策，并附2009年半导体学科领域资助的项目清单，供有关科技工作者参考。关键词:自然科学基金;半导体科学;项目申请国家自然科学基金委员会信息科学部半导体科学与信息器件学科组2009年度共受理面上基金申请557项（2008年482项），青年基金323项（2008年268项），地区基金16项（2008年9项），三类项目合计896项（2008年759项），总数较2008年小幅增长8.4%。表1列出了这三类项目的申请和资助情况。表中资助率和资助强度两列中括号内的数据是包含一年执行期的小额资助项目，括号外的数据只算了三年期的大额资助项目。从表1可以看出青年基金和地区基金的平均资助强度与面上基金存在较大差距，从2007年青年基金和地区基金划归人才系列后，青年基金将注重维持并逐步提高资助率，面上基金则会使其平均资助强度逐步向50万元靠拢。由于青年基金每人只有一次获资助机会，今后将尽量不安排小额资助；地区基金的申请规模太小，今后将加大宣传力度，鼓励符合条件地区的科研人员申请地区基金。2010年面上基金平均资助强度可能会在42万元左右，请广大申请人和评议人注意。

表2列出了面上基金和青年基金在各二级申请代码所代表的分支领域中的分布。从表中可以看出，与2008年相比面上基金中“半导体光电子器件”和“半导体微纳机电器件与系统”两个分支领域申请项目数增长较大，青年基金中“集成电路设计与测试”和“半导体物理”两个分支领域申请项目数增长较大；“新型信息器件”领域的申请项目数也显示出良好的增长势头，但总量尚小，今后还需要进一步地鼓励和倾斜支持，欢迎大家踊跃申请，促进各学科均衡发展。特别需要指出的是，“半导体晶体与薄膜材料”和“新型信息器件”两个分支领域面上基金比青年基金明显强势，长此以往可能不利于学科可持续发展。

2009年申请项目的一个突出特点是器件类项目大幅增加，特别是太阳电池、传感器件、微波功率器件方面的项目增加较多。这类项目通常给人的印象是在前沿性、基础性、学术创新性方面略显不足，但工艺技术性较强，具有重要应用前景和意义。但实际上这类项目在器件物理、结构、工艺及封装等方面都存在着深层次的问题且

通信作者.Email:hejie@nsfc.gov.cnReceived21January2010

不易被人们轻易认识，也难以被人们解决，由于这类项目的应用意义较大，文献中通常很少述及这些深层次问题及其解决方案。今后我们将对这类器件研究予以倾斜支持，鼓励大家深入挖掘各类高性能信息器件方面的科学问题，大力开展器件物理、工艺、失效机理和可靠性方面的研究，为实现高性能的信息器件奠定科学基础，只有“练好基本功，加强高性能器件研究”，才能改变我国在高端器件方面短缺的现状。希望广大科研人员在申请和评审基金项目时能够充分关注这一点。

随着微电子技术的发展，32纳米工艺已经步入产业阶段，有关小尺寸器件的探索愈发迫切，关于SoC、NoC和SiP的研究也会越来越走向现实；随着无线传感网和物联网的兴起，相关的芯片研究也将逐步受到重视，特别是射频技术和低功耗技术更是其中的关键；自旋器件和量子比特器件等新型器件的研究会更加活跃，相关的新材料、新器件探索会层出不穷，相关器件工艺和建模的研究也会增多；微纳结构光子学的研究是今后几年的热点，必将会促进光电集成和光子集成的发展；化石能源的日渐匮乏，使太阳能的利用愈发引人关注，半导体科学与信息器件领域太阳电池的研究大幅增加。但所有这些研究的进展都受制于我们的微纳加工能力和器件工艺，如何深入挖掘微纳加工和器件工艺中的深层次科学问题，加强对这方面研究的支持，突破困扰我们发展的瓶颈，将是我们今后几年工作的重点目标。希望广大科研人员多提好的项目和建议，为我国半导体科学与信息器件领域基础研究的发展献计献策，贡献智慧。

2010年修订了多项基金管理办法，特此提醒广大申请者注意查询最新规定，认真阅读2010年项目指南和申请书填写须知，不要只凭经验，造成不必要的失误，影响项目申请的受理和送审。特别提请申请人填写真实的个人信息，所有参加人员亲笔签名，申请代码填写至第三级。

表3、4、5、6分别列出了2009年半导体科学与信息器件学科组获资助的面上、青年、地区和重点项目，供感兴趣的科技工作者参考。

c2010ChineseInstituteofElectronics