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晶体硅太阳能电池生产工艺流程图
电池片工艺流程说明：
(1)清洗、制绒：首先用化学碱（或酸）腐蚀硅片，以去除硅片表面机械损伤层，并进行硅
片表面织构化，形成金字塔结构的绒面从而减少光反射。现在常用的硅片的厚度在 180μ
m 左右。去除硅片表面损伤层是太阳能电池制造的第一道常规工序。 (2)甩干：清洗后的硅
片使用离心甩干机进行甩干。
(3)扩散、刻蚀：多数厂家都选用P型硅片来制作太阳能电池，一般用POCl3液态源作为扩
散源。扩散设备可用横向石英管或链式扩散炉,进行磷扩散形成P-N结。扩散的最高温度可
达到850-900℃。这种方法制出的PN结均匀性好，方块电阻的不均匀性小于10％，少子寿
命大于10 微秒。扩散过程遵从如下反应式：
4POCl3＋3O2（过量）→ 2P2O5＋2Cl2（气）2P2O5＋5Si → 5SiO2 + 4P 腐蚀磷硅玻璃和等
离子刻蚀边缘电流通路，用化学方法除去扩散生成的副产物。SiO2 与HF生成可溶于水的
SiF62-，从而使硅表面的磷硅玻璃（掺P2O5的SiO2） 溶解，化学反应为：
SiO2 ＋6HF → H2（SiF6）＋2H2O
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