电磁屏蔽原理

电磁屏蔽原理

08级材料科学与工程，许文强，20080403B027

（海南大学（海甸校区），海口，570228）

电磁波在传播途中遇到障碍物时，受障碍物的反射和吸收作用，能量发生衰减，其衰减程度用分贝（dB）来表示。值越大，则衰减的程度越高。如表1 所示[1]。

电磁屏蔽, 即利用屏蔽体的反射、 衰减等使得电磁辐射场源所产生的电磁能流不进入被屏蔽区域。通常,屏蔽材料对空间某点的屏蔽效果用屏蔽效能 SE ( Shie l ding E ffecti veness , dB表示: SE = 20 lg(E0 /E ),其中 E0是无屏蔽材料时该点场强, E是有屏蔽体后该点场强。SE 小于 30dB为差; 30 ~ 60dB为中等, 可用于一般工业或商业用电子设备; 60~ 90dB为良好, 可用于航空航天及军用仪器设备的屏蔽; 90dB以上为优, 用于要求苛刻的高精度、 高敏感度产品。根据实用需要, 对于大多数电子产品的屏蔽材料, 在 30 ~ 1000MH z频率范围内, 其 SE 至少达到 35dB以上,方认为是有效屏蔽。

S . A. Schelkuno ff电磁屏蔽理论认为, 电磁波传播到屏蔽材料表面时, 通常有 3种不同机理进行衰减: ( 1 )未被反射而进入屏蔽体的吸收损耗; ( 2)在入射表面的反射损耗; ( 3)在屏蔽体内部的多重反射损耗。用公式可表示为 [2-5]: SE = A + R +B (见图 1)。 吸收损耗 A = 1 .

1/2314t( fµrσr)( dB); R 为电磁波的单次反射衰减, R = 168 - 10 lg ( fµr/σr) ( dB ) (远场平面波 ); B为电磁波在屏蔽材料内部的多重反射损耗, B = 20 lg ( 1- e- 2t /δ) ( dB)。其中, µr为材料相对铜的磁导率; r为材料相对铜的电导率; f为电磁波的频率; t为材料厚度; 为趋肤深度 = (πµ

σf )- 1/2。