材料科学基础(下)知识总结 小字版

位错反应条件：1、结构条件：每一个位错的柏氏矢量都是从一个平衡的原子位置指向相邻的平衡位置2、能量条件：反应后能量减低3、几何条

件：反应前后

矢量守恒 孪生与滑移的异同点：相同：都是沿着特定的晶面、晶向变形。不同：1孪生时部分晶体取向改变2孪生式晶体的均匀切变3孪生临界分切应力高4孪生对塑性变形贡献小5孪生变形后产生的浮凸经抛光后不可消除 加工硬化的实质：塑性变形过程中晶体内部位错不断增殖、交割影响位错可动性，使位错运动阻力上升，即宏观上使硬度强度提高

单晶体加工硬化曲线特征：分为三个阶段：第一阶段斜率小，单系滑移，位错阻力小，易滑移阶段。第二阶段线性硬化阶段，加工硬化增大，应力急剧增加，位错增殖、交割、塞积，可动性降低。第三阶段抛物线硬化阶段，发生交滑移，加工硬化率下降。

细晶强化的实质：晶粒细小使晶界面积增大对位错阻碍作用也增大，从而使材料强度提高。固溶强化的实质：由于溶质原子与位错作用是变形阻力增大导致材料强度提高。第二相强化实质：由于第二相粒子的存在阻碍位错运动导致材料强度提高。相同点都是：都是阻碍位位错运动影响位错可动性从而达到强化的效果。 位错反应条件：1、结构条件：每一个位错的柏氏矢量都是从一个平衡的原子位置指向相邻的平衡位置2、能量条件：反应后能量减低3、几何条

件：反应前后

矢量守恒 孪生与滑移的异同点：相同：都是沿着特定的晶面、晶向变形。不同：1孪生时部分晶体取向改变2孪生式晶体的均匀切变3孪生临界分切应力高4孪生对塑性变形贡献小5孪生变形后产生的浮凸经抛光后不可消除 加工硬化的实质：塑性变形过程中晶体内部位错不断增殖、交割影响位错可动性，使位错运动阻力上升，即宏观上使硬度强度提高

单晶体加工硬化曲线特征：分为三个阶段：第一阶段斜率小，单系滑移，位错阻力小，易滑移阶段。第二阶段线性硬化阶段，加工硬化增大，应力急剧增加，位错增殖、交割、塞积，可动性降低。第三阶段抛物线硬化阶段，发生交滑移，加工硬化率下降。

细晶强化的实质：晶粒细小使晶界面积增大对位错阻碍作用也增大，从而使材料强度提高。固溶强化的实质：由于溶质原子与位错作用是变形阻力增大导致材料强度提高。第二相强化实质：由于第二相粒子的存在阻碍位错运动导致材料强度提高。相同点都是：都是阻碍位位错运动影响位错可动性从而达到强化的效果。 位错反应条件：1、结构条件：每一个位错的柏氏矢量都是从一个平衡的原子位置指向相邻的平衡位置2、能量条件：反应后能量减低3、几何条

件：反应前后

矢量守恒 孪生与滑移的异同点：相同：都是沿着特定的晶面、晶向变形。不同：1孪生时部分晶体取向改变2孪生式晶体的均匀切变3孪生临界分切应力高4孪生对塑性变形贡献小5孪生变形后产生的浮凸经抛光后不可消除 加工硬化的实质：塑性变形过程中晶体内部位错不断增殖、交割影响位错可动性，使位错运动阻力上升，即宏观上使硬度强度提高

单晶体加工硬化曲线特征：分为三个阶段：第一阶段斜率小，单系滑移，位错阻力小，易滑移阶段。第二阶段线性硬化阶段，加工硬化增大，应力急剧增加，位错增殖、交割、塞积，可动性降低。第三阶段抛物线硬化阶段，发生交滑移，加工硬化率下降。

细晶强化的实质：晶粒细小使晶界面积增大对位错阻碍作用也增大，从而使材料强度提高。固溶强化的实质：由于溶质原子与位错作用是变形阻力增大导致材料强度提高。第二相强化实质：由于第二相粒子的存在阻碍位错运动导致材料强度提高。相同点都是：都是阻碍位位错运动影响位错可动性从而达到强化的效果。

位错反应条件：1、结构条件：每一个位错的柏氏矢量都是从一个平衡的原子位置指向相邻的平衡位置2、能量条件：反应后能量减低3、几何条

件：反应前后

矢量守恒 孪生与滑移的异同点：相同：都是沿着特定的晶面、晶向变形。不同：1孪生时部分晶体取向改变2孪生式晶体的均匀切变3孪生临界分切应力高4孪生对塑性变形贡献小5孪生变形后产生的浮凸经抛光后不可消除 加工硬化的实质：塑性变形过程中晶体内部位错不断增殖、交割影响位错可动性，使位错运动阻力上升，即宏观上使硬度强度提高

单晶体加工硬化曲线特征：分为三个阶段：第一阶段斜率小，单系滑移，位错阻力小，易滑移阶段。第二阶段线性硬化阶段，加工硬化增大，应力急剧增加，位错增殖、交割、塞积，可动性降低。第三阶段抛物线硬化阶段，发生交滑移，加工硬化率下降。

细晶强化的实质：晶粒细小使晶界面积增大对位错阻碍作用也增大，从而使材料强度提高。固溶强化的实质：由于溶质原子与位错作用是变形阻力增大导致材料强度提高。第二相强化实质：由于第二相粒子的存在阻碍位错运动导致材料强度提高。相同点都是：都是阻碍位位错运动影响位错可动性从而达到强化的效果。