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2010年2全国自考模拟、数字及电力电子技术模拟试卷(一)
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1. 对半导体三极管,测得发射结反偏,集电结反偏,此时该三极管处于()
A. 放大状态B. 截止状态C. 饱和状态D. 无法确定
答案:B
解析:(P21)由三极管的输出特性曲线可知,根据三极管发射结和集电结的偏置状态不同,三极管分别工作在放大区、饱和区和截止区。在放大区,发射结正向偏置,集电结反向偏置;在饱和区,发射结和集电结均处于正向偏置。
2. 串联型稳压电源中,产生基准电压的部分是()
A. 比较放大器B. 稳压管电路C. 调整管D. 采样电路
答案:B
解析:(P105)利用稳压管的稳压特性来产生串联反馈式稳压电路的基准电压,是常用的获得比较基准的简单方法。
3.
A. AB. BC. CD. D
答案:A
解析:(P138)利用卡诺图化简逻辑函数可得。
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