022
第7卷,第12期
电子与封装
总第56期V0l
7.No
12
ELeCTRONICS&PACKAG口NG
2007年12月
《嚣≯《羹,强、≤澎i缎9f、影{、与,皎拶I港》
新型环氧树脂E一51的性能研究
徐伟,徐桂芳,管艾荣
(江苏大学材料学院,江苏镇江212叭3)
摘要:采用具有负热膨胀特性的Zrw,o。粉体和SiO,粉体分别作为填料制备E-51环氧树脂电子封装材料。测试了不同种类和含量的填料对封装材料的介电常数、介质损耗、阻温特性和电击穿场强等电性能
的影响。实验结果表明:随zrW:o。含量的增加,zrw,O。/E一51材料的介电常数占不断增大,介质损
耗正切值不断减小。在室温约163℃范围内,Zrw,0。/E一51材料的电阻率稳定在3.03×106Q.m,电击穿场强均大于10kV‘m‘,满足于微电子器件封装材料的实际应用。关键词:电子封装材料;环氧树脂;zrw,O。;电学性能中图分类号:TN305.94
文献标识码:A
文章编号:1681-1070(2007)12—0007—04
Study
on
ElectricalPropertiesofNewEpoxyResinE 51
XUW.ei,XU
GIli一加g,GUAN加一roI培
(Dlzp以以mPnf巧M口玉Prf以ZScfPnce口,ld.勖gf,lPPrf咒g,m以咒gs“己协fvP,苫iz)',z^P形f乜,zg212013,(玩i,1日)
Abstract:Thehigh—pure
ZrW20R
powderswithnegatiVe
themal
expansioncharacteristic甜epreparedby
cheIllicals01idmemod.11lepreparationofepoXyresinelec扛011icmateridusingdifferemcontemsofzrW,ORalldsi02
as础ersis
studied.Thedielectric
const肌t,dielec仃ic
loss,bulk
resistiV时aJldbreakdownfieldstrengm
of
thecompositesweremeasurcd.Theresultsshowthatthedielectricconstantof
ZrW208/E一51
increasewith
ZrW20R
content,where
as
medielectric10ssdeclinegradually.DuringmomtemperatureaIld163℃,zrW208/E
5lcompositesshowa
steadybulkresistiVityabout3.03×106Q‘m,andbreakdownfieldstrengthisin
excess
of
10kV 甜1,which
isaVailableto
indus廿y印plic撕on.
Keywords:electmniccasting;epoxy
resin;乃W208;electdcalpropenies
Expansion,NTE)材料,其中以立方晶体结构的
1
引言
zrW:0。为代表的负热膨胀材料,具有很强的各向同性负热膨胀特性,在较宽的温度区问内(0.3K~
环氧树脂具有良好的黏着性、电绝缘性、耐湿
l
050K),具有基本恒定的负热膨胀系数:
性、化学稳定性和电学性能,从而在电子封装领域得到理l_一8.7×10。6K.1
(1)
广泛的应用,约占整个塑料电子封装的90%左右。随目前,国内外对zrw:08粉体及其复合材料制备进
着集成电路的密集化、小型化、绿色化以及对稳定性和行了大量的研究和报道【4】,但对ZrW:0。粉体作为填料
寿命的更高要求,对环氧树脂封装材料的性能要求也越制备环氧树脂封装材料的电学性能研究还没有相关报
来越高¨q1。电子封装材料能否保持更为优良的电性
道。本文主要研究把通过化学固相分步法制备的高纯度能,是电子元器件和集成电路稳定工作的关键问题。近zrW:0。粉体和Si0:粉体分别作为填料,在制备低膨胀
年来材料学家发现了多种负热膨胀(NegatiVeThe衄al
系数的环氧树脂封装材料的基础上,对该封装材料电学
收稿日期:2007-08—10
万方数据
一7一
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