当前位置： 文档下载 > 所有分类 > 工程科技 > 信息与通信 > SI2302 N沟道MOS管中文数据资料.pdfSI2302 N沟道MOS管中文资料,增强模式场效应晶体管; 封装：SOT-23(TO-236)替代型号:WT-2301 WTC2301 SMG2301 CES2301 KI2301BDS
Si2302DS
Vishay Siliconix
N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
ＳＩ２３０２
ＳＩ２３０２是二三极管的一种，属于增强模式场效应晶体管
主要参数：
晶体管类型 ：Ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ 最大功耗ＰＤ ： １．２５Ｗ
栅极门限电压ＶＧＳ ： ２．５Ｖ（典型值） 漏源电压ＶＤＳ ：２０Ｖ（极限值） ２０ｖ 漏极电流ＩＤ：２．８Ａ
通态电阻ＲＤＳ（ｏｎ）：０．１４５ｏｈｍ（典型值） 栅极漏电流ＩＧＳＳ：±１００ｎＡ 结温：５５℃ｔｏ＋１５０℃
封装：
ＳＯＴ－２３（ＴＯ－２３６）
替代型号：
ＷＴ－２３０２ ＷＴＣ２３０２ ＳＭＧ２３０２ ＣＥＳ２３０２ ＫＩ２３０２ＢＤＳ
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