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沟槽栅低压功率MOSFET的发展（上）
――减小漏源通态电阻Rds（on）
吴晓鹏，张娜
北京工业大学功率器件及功率集成电路研究室
摘要
近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低通态电阻Rds（on）方面的技术发展，下篇着重于降低优值FOM方面的技术发展。
关键词： MOSFET，通态电阻，FOM
The Development of Low-voltage Trench Gate Power MOSFETs （Part I）
--Reducing drain-source on-resistance Rds（on）
XiaoPeng WU, Na ZHANG
Lab of Power Semiconductor Devices and ICs, BeiJing University of Technology
Abstract
Recently, the performance of low-voltage power switching MOSFET using trench technology has improved rapidly. This article discusses the new developments of these devices. The part-I focuses on the technology developments reducing on-resistance. The part-II will treat with decreasing Figure of Merit.
Key words: MOSFET, on-resistance, FOM
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